長鑫儲存19nm DDR4內存將於明年上市,LPDDR4X正在路上

時間:2019-12-03

IT之家12月3日消息 根據AnandTech的報道,長鑫存儲科技有限公司已經開始使用19納米制造技術生產DDR4內存。目前,該公司已經制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖,並計劃在未來生產所有類型的DRAM。不僅如此,長鑫存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產量。

長鑫儲存19nm DDR4內存將於明年上市,LPDDR4X正在路上

據報道,目前,長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(即19nm工藝)來製造4GB和8GB的DDR4內存芯片,目標是在2020年第一季度上市。長鑫存儲還將使用同樣的技術將在2020年下半年製造LPDDR4X內存。該公司的技術路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內存。

根據之前的報道,長鑫存儲誕生於2016年,專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的研發、生產和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠。

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